鋰離子電池的保護功能通常由保護電路板和PTC等電流器件協同完成,保護板是由電子電路組成,在-40℃至+85℃的環境下時刻準確的監視電芯的電壓和充放迴路的電流,及時控制電流迴路的通斷; PTC在高溫環境下防止電池發生惡劣的損壞。

18650鋰離子電池保護板


普通18650鋰離子電池保護板通常包括控制IC、MOS開關、電阻、電容及輔助器件FUSE、PTC、NTC、ID、存儲器等。其中控制IC,在一切正常的情況下控制MOS開關導通,使電芯與外電路導通,而當電芯電壓或迴路電流超過規定值時,它立刻控制MOS開關關斷,保護電芯的安全。

在鋰離子電池保護板正常的情況下,Vdd為高電平,Vss,VM為低電平,DO、CO為高電平,當Vdd,Vss,VM任何一項參數變換時,DO或CO端的電平將發生變化。

1、正常狀態

在正常狀態下電路中N1的CO與DO腳都輸出高電壓,兩個MOSFET都處於導通狀態,電池可以自由地進行充電和放電,由於MOSFET的導通阻抗很小,通常小於30毫歐,因此其導通電阻對電路的性能影響很小。此狀態下保護電路的消耗電流為μA級,通常小於7μA。

2、過充電保護

鋰離子電池要求的充電方式為恆流/恆壓,在充電初期,為恆流充電,隨著充電過程,電壓會上升到4.2V(根據正極材料不同,有的電池要求恆壓值為4.1V ),轉為恆壓充電,直至電流越來越小。電池在被充電過程中,假如充電器電路失去控制,會使電池電壓超過4.2V後繼續恆流充電,此時電池電壓仍會繼續上升,當電池電壓被充電至超過4.3V時,電池的化學副反應將加劇,會導致電池損壞或出現安全問題。在帶有保護電路的電池中,當控制IC檢測到電池電壓達到4.28V(該值由控制IC決定,不同的IC有不同的值)時,其CO腳將由高電壓轉變為零電壓,使V2由導通轉為關斷,從而切斷了充電迴路,使充電器無法再對電池進行充電,起到過充電保護用途。而此時由於V2自帶的體二極管VD2的存在,電池可以通過該二極管對外部負載進行放電。在控制IC檢測到電池電壓超過4.28V至發出關斷V2信號之間,還有一段延時時間,該延時時間的長短由C3決定,通常設為1秒左右,以防止因干擾而造成誤判斷。

3、過放電保護

電池在對外部負載放電過程中,其電壓會隨著放電過程逐漸降低,當電池電壓降至2.5V時,其容量已被完全放光,此時假如讓電池繼續對負載放電,將造成電池的永久性損壞。在電池放電過程中,當控制IC檢測到電池電壓低於2.3V(該值由控制IC決定,不同的IC有不同的值)時,其DO腳將由高電壓轉變為零電壓,使V1由導通轉為關斷,從而切斷了放電迴路,使電池無法再對負載進行放電,起到過放電保護用途。而此時由於V1自帶的體二極管VD1的存在,充電器可以通過該二極管對電池進行充電。由於在過放電保護狀態下電池電壓不能再降低,因此要求保護電路的消耗電流極小,此時控制IC會進入低功耗狀態,整個保護電路耗電會小於0.1μA。在控制IC檢測到電池電壓低於2.3V至發出關斷V1信號之間,也有一段延時時間,該延時時間的長短由C3決定,通常設為100毫秒左右,以防止因干擾而造成誤判斷.

4、短路保護

電池在對負載放電過程中,若迴路電流大到使U>0.9V(該值由控制IC決定,不同的IC有不同的值)時,控制IC則判斷為負載短路,其DO腳將迅速由高電壓轉變為零電壓,使V1由導通轉為關斷,從而切斷放電迴路,起到短路保護用途。短路保護的延時時間極短,通常小於7微秒。其工作原理與過電流保護類似,只是判斷方法不同,保護延時時間也不相同。除了控制IC外,電路中還有一個重要元件,就是MOSFET,它在電路中起著開關的用途,由於它直接串接在電池與外部負載之間,因此它的導通阻抗對電池的性能有影響,當選用的MOSFET較好時,其導通阻抗很小,電池包的內阻就小,帶載能力也強,在放電時其消耗的電能也少。

5、過電流保護

由於鋰離子電池的化學特性,電池生產廠家規定了其放電電流最大不能超過2C(C=電池容量/小時),當電池超過2C電流放電時,將會導致電池的永久性損壞或出現安全問題。電池在對負載正常放電過程中,放電電流在經過串聯的2個MOSFET時,由於MOSFET的導通阻抗,會在其兩端出現一個電壓,該電壓值U=I*RDS*2,RDS為單個MOSFET導通阻抗,控制IC上的V-腳對該電壓值進行檢測,若負載因某種原因導致異常,使迴路電流增大,當迴路電流大到使U>0.1V(該值由控制IC決定,不同的IC有不同的值)時,其DO腳將由高電壓轉變為零電壓,使V1由導通轉為關斷,從而切斷了放電迴路,使迴路中電流為零,起到過電流保護用途。在控制IC檢測到過電流發生至發出關斷V1信號之間,也有一段延時時間,該延時時間的長短由C3決定,通常為13毫秒左右,以防止因干擾而造成誤判斷。在上述控製過程中可知,其過電流檢測值大小不僅取決於控制IC的控制值,還取決於MOSFET的導通阻抗,當MOSFET導通阻抗越大時,對同樣的控制IC,其過電流保護值越小。